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transitions in N
OTravnikova, O.*; C
olin, D.*; Bao, Z.*; B
rve, K. J.*; 田中 隆宏*; 星野 正光*; 加藤 秀樹*; 田中 大*; Harries, J.; 為則 祐介*; et al.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 181(2-3), p.129 - 134, 2010/08
被引用回数：1 パーセンタイル：7.37(Spectroscopy)本論文ではNOのN-ターミナル、N-セントラルとOのコアー励起に伴うオージェ崩壊後の終状態震度状態分布についてのスタディーを報告する。励起光のエネルギーをみつの共鳴のある領域をスキャンするとベンド:ストレッチの振動分布がかわることを証明する。これがコア励起状態においてRenner-Tellerスプリットによる効果だということが知られているが、非対称ストレッチ励起がおもにN-ターミナルの1s-励起後の崩壊に伴うものであることを証明した。この選択性についてはそれぞれの電子状態のポテンシャルエネルギーサーフェスを比較して議論する。
穂坂 綱一; 板倉 隆二; 横山 啓一; 山内 薫*; 横山 淳
no journal, ,
We have performed photoelectron-photoion coincidence imaging measurements and revealed the correlation between the initially prepared electronic states of parent ions and the subsequent dissociation processes. Comparisons are made among the photoelectron images for the four different single ionization channels; the parent ion formation, H elimination, CH
elimination, and OH elimination. At the intensity of 9.3 TW/cm
with the duration of 35 fs, the electronically excited states are prepared directly in the ionization for the CH and OH elimination. As the pulse becomes longer and stronger, the ionization to the electronic ground state becomes dominant even for the CH and OH elimination, suggesting the efficient electronic excitation subsequent to the ionization.
藤井 健太郎; 横谷 明徳
no journal, ,
軟X線を照射したDNAの分子変化について調べるため、単色軟X線を照射したDNA薄膜のX線吸収端近傍微細構造スペクトルを観測した。その結果、照射した試料中に生成した最終生成物の分子構造を反映したスペクトルを観測することに成功した。得られた結果とこれまでにわれわれが行った軟X線によってDNA中に生じる主鎖切断や塩基損傷の収率の変化とを相互に比較して、各エネルギーの軟X線照射によって起こる分子変化のメカニズムについて議論する。
下山 巖; 馬場 祐治; 関口 哲弘; Uddin, M. N.*; 永野 正光*
no journal, ,
グラファイト状炭窒化ホウ素(B-C-N)は組成と原子配置に依存して金属から半導体までさまざまな電子構造をとることが期待されているが、複雑な化学結合状態の混在により構造解析は難しく、得られた材料の原子配置に関してはほとんどわかっていない。われわれは、ボラジンを用いたイオンビーム堆積法によりグラファイト表面にB-C-N薄膜を合成し、NEXAFS分光法によりその局所構造について調べた。B及びN吸収端においてNEXAFSスペクトルはグラファイト的な偏光依存性を示し、主な副生成物である六方晶窒化ホウ素には観測されない複数の
ピークを低エネルギー領域に示した。これらのピークは低フルエンスにおいて強く観測され、グラファイトへのB, Nドーピングによって得られた何らかのB-C-N化合物に起因した成分であることを示唆する。そこでわれわれはグラファイト構造を持つ複数のモデルクラスターの部分状態密度をab initio分子軌道法によって計算し、実験結果と比較した。われわれは、ピークの相対強度と原子配置の間にある相関関係からB-N間の分極を阻害しないようにB, C, N原子が配置されるという法則について提案する。
Kosuwattage, K.; 下山 巖; 馬場 祐治; 関口 哲弘; 中川 和道*
no journal, ,
ナノチューブに代表されるようにB, C, Nの軽元素からなるナノ構造は他の水素吸蔵材の候補として精力的に研究が行われているが、試料の質(欠陥や不純物)に大きく依存するため、材料本来の水素吸蔵能については意見が分かれている。また、物理吸着と化学吸着でも吸蔵量は大きく異なるため定量的な議論は十分行われていない。そこでわれわれはこれらの材料の最も基本構造であるグラファイトと六方晶窒化ホウ素(h-BN)のエピタキシャル薄膜を用いることで両者の定量的な比較を試みた。それぞれのエピタキシャル薄膜をNi(111)基板上にCVD法で作成し、Wホットフィラメントを用いた原子状水素による水素化前後での電子状態の変化を光電子分光法で調べた。スペクトルは照射時間に依存して低結合エネルギー側へのシフトとスペクトル形状の変化を示した。われわれはピーク形状の変化が水素化による化学シフトを反映していると考え、ピークフィッティング解析により両者の水素化率の比較を行い、h-BNの方がグラファイトよりも約2倍水素化されやすいという予備的な結果を得た。この結果はBN材料が炭素材料よりも優れた水素吸蔵材となりうる可能性を示唆している。
molecular beam橋之口 道宏*; 岡田 美智雄*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
超熱エネルギーのO2分子線を用いてCu(100)、Cu(111)、Cu(110)表面の室温酸化過程を研究してきた。Cu(100)とCu(111)の酸化でCuOが生成する過程は衝突誘起吸収機構であり、Cu(110)では可動Cuアドアトムを含む反応機構であることを提案してきた。それゆえ、Cu(110)でCuOが生成する過程では表面温度が重要な因子になる。そこでCu(110)の酸化過程の温度依存性を放射光光電子分光と分子線を用いて示す。実験はすべてSPring-8のBL23SUの表面反応分析装置で行った。2.2eVの運動エネルギーでは300Kと比べて473Kの方がCu(110)の酸化物生成に効果的であることがわかった。
V
Cr
by photoemission spectroscopy春山 雄一*; 寺岡 有殿; 松井 真二*
no journal, ,
本研究では三元遷移金属合金TiVCrの表面近傍での化学組成と電子構造を光電子分光で調べた。TiVCrの光電子スペクトルは昇温温度と光子エネルギーの関数として測定された。昇温温度が高くなるに従って、Tiの強度は増加した。このことは成分遷移金属が昇温によって再構成を起こしていることを示唆している。各遷移金属の3p-3d共鳴光電子エネルギー領域での一定初期状態スペクトルとエネルギー分布曲線の光子エネルギー依存性から、価電子帯領域で観測された特徴から電子軌道の性質が明らかにされた。
molecular beams寺岡 有殿; 川上 泰典; 吉越 章隆; Harries, J.; 平谷 篤也*
no journal, ,
超音速酸素ビームで酸化したNi(111)上の酸素の化学結合状態を低エネルギー電子回折と放射光光電子分光で分析した。O照射初期の酸素吸着構造は3配位fcc近接サイトである。Ni(111)の酸化層は、Oの入射エネルギーと供給量に依存するが、過酸化物,亜酸化物,NiOからできていることが見いだされた。入射エネルギーが0.6eVのとき、酸素吸着構造は初期には3配位fcc近接サイトであるが、亜酸化物と過酸化物を経て最終的にはNiO構造に変化する。それは入射エネルギーにかかわりなくNiO(111)である。入射エネルギーが大きくなるとNiO生成は低供給量でも起こり、3配位fcc近接サイトは初期段階から減少する。特に2.3eVでは極めて初期のNiO生成に有効であった。これはエネルギーの大きなOによるNi(111)の酸化では活性化吸着過程が起こることを意味している。
